NCV57091ADWR2G
NCD57090: Isolated High Current Gate Driver
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- 描述
- 是高电流单通道 IGBT/MOSFET 栅极驱动器,具有 5kVrms 内部电流隔离,设计用于在高功率应用中实现高系统效率和可靠性。该驱动器可接受互补输入,并根据引脚配置,为系统设计提供便利选项,如有源米勒钳位(A/D/F 版本)、负电源(B 版本)以及独立的高低(OUTH 和 OUTL)驱动器输出(C/E 版本)。驱动器可适应 3.3V 至 20V 的宽范围输入偏置电压和信号电平,采用宽体 SOIC-8 封装。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NCV57091ADWR2G
- 商品编号
- C5208447
- 商品封装
- SOIC-8-WB
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.442克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
NCx57090y、NCx57091y 是高电流单通道 IGBT/MOSFET 栅极驱动器,具有 5 kVrms 内部电流隔离,专为高功率应用中的高系统效率和可靠性而设计。这些器件接受互补输入,并根据引脚配置,提供诸如有源米勒钳位(A/D/F 版本)、负电源(B 版本)以及独立的高低(OUTH 和 OUTL)驱动器输出(C/E 版本)等选项,方便系统设计。该驱动器可适应 3.3 V 至 20 V 的宽范围输入偏置电压和信号电平,采用宽体 SOIC - 8 封装。
商品特性
- 高峰值输出电流(+6.5 A / -6.5 A)
- 低钳位电压降,无需负电源即可防止栅极误开启(A/D/F 版本)
- 短传播延迟且匹配精确
- 短路时 IGBT/MOSFET 栅极钳位
- IGBT/MOSFET 栅极有源下拉
- 严格的欠压锁定(UVLO)阈值,实现偏置灵活性
- 宽偏置电压范围,包括负 VEE2(B 版本)
- 3.3 V、5 V 和 15 V 逻辑输入
- 5 kVrms 电流隔离
- 高瞬态抗扰度
- 高电磁抗扰度
- 适用于汽车及其他需要独特场地和控制变更要求的应用的 NCV 前缀;符合 AEC - Q100 标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),符合 RoHS 标准
应用领域
- 电机控制
- 不间断电源(UPS)
- 汽车应用
- 工业电源
- 太阳能逆变器
优惠活动
购买数量
(1000个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个1000个/圆盘
总价金额:
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