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NVMFWS004N10MCT1G实物图
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NVMFWS004N10MCT1G

1个N沟道 耐压:100V

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NVMFWS004N10MCT1G
商品编号
C5208179
商品封装
DFNW-5(5x6)(SO-8-FL)​
包装方式
编带
商品毛重
0.7克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)138A
导通电阻(RDS(on))3.9mΩ@10V
耗散功率(Pd)3.8W
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)48nC@10V
属性参数值
输入电容(Ciss)3.6nF
反向传输电容(Crss)30pF
工作温度-55℃~+175℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)1.7nF
栅极电压(Vgs)±20V

商品特性

  • 小尺寸封装(5x6 mm),适用于紧凑型设计
  • 低 RDS(on),可最大限度降低传导损耗
  • 低 QG 和电容,可最大限度降低驱动器损耗
  • 通过 AEC-Q101 认证,具备生产件批准程序(PPAP)能力
  • 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR)、无铍,符合 RoHS 标准

数据手册PDF