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NVA4001NT1G
1个N沟道 耐压:20V 电流:238mA
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- 描述
- 适用于低功率应用的汽车用功率 MOSFET。 20 V，238 mA，单 N 沟道，门极 ESD 防护通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，且符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVA4001NT1G
- 商品编号
- C5205655
- 商品封装
- SC-75(SOT-416)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 238mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 20pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低栅极电荷,实现快速开关
- 小尺寸封装,占位面积仅 1.6 × 1.6 mm
- 栅极具备 ESD 保护
- 符合 AEC-Q101 标准,可提供 PPAP 文件 - NVA4001N
- 这些器件为无铅产品,符合 RoHS 标准
应用领域
- 电源管理负载开关
- 电平转换
- 便携式应用,如手机、媒体播放器、数码相机、个人数字助理(PDA)、视频游戏、手持电脑等
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