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NVLJWD023N04CLTAG
1个N沟道 耐压:40V
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- 描述
- 特性：小尺寸，适合紧凑设计。 低RDS(on)，以最小化传导损耗。 低QG和电容，以最小化驱动损耗。 可焊侧翼选项，便于光学检测。 通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力。 无铅且符合RoHS标准
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVLJWD023N04CLTAG
- 商品编号
- C5208090
- 商品封装
- WDFNW-6(2.2x2.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 33mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 24W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 440pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单
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