温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NVLJWS013N03CLTAG
1个N沟道 耐压:30V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：小尺寸，适合紧凑设计。 低RDS(on)，以最小化传导损耗。 低QG和电容，以最小化驱动损耗。 可焊侧翼选项，便于光学检测。 通过AEC-Q101认证，具备生产件批准程序(PPAP)能力。 无铅且符合RoHS标准
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVLJWS013N03CLTAG
- 商品编号
- C5208094
- 商品封装
- WDFNW-6(2.05x2.05)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V,8A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
相似推荐
其他推荐
- NVLJWS070N06CLTAG
- NVMFWS003N10MCT1G
- NVMYS005N10MCLTWG
- NVMYS021N10MCLTWG
- NTTFS080N10GTAG
- NVMFS005N10MCLT1G
- NVMFS025P04M8LT1G
- NVMFS5C430NLWFT1G
- NVMFS5C450NLWFT1G
- NVMFWS0D7N04XMT1G
- NVTFS070N10MCLTAG
- NTBLS1D5N10MCTXG
- NTMFD1D1N02X
- NTMFS0D5N04XLT1G
- NVHL040N60S5F
- NVHL055N60S5F
- NVMJST0D9N04CTXG
- NVMJST1D4N06CLTXG
- NVMJST1D2N04CTXG
- NVMJST2D6N08HTXG
- NVMJST3D3N04CTXG