NTTFS080N10GTAG
1个N沟道 耐压:100V 电流:16A 电流:4.1A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTTFS080N10GTAG
- 商品编号
- C5208128
- 商品封装
- WDFN-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.274克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 72mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 39W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 560.5pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 宽安全工作区(SOA),适用于线性模式操作
- 低 RDS(on),以最小化传导损耗
- 高峰值非钳位感性开关(UIS)电流能力,增强耐用性
- 小封装尺寸(3.3 x 3.3 mm),便于紧凑设计
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),符合 RoHS 标准
应用领域
- 48 V 热插拔系统、负载开关、软启动、电子保险丝
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