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NVMFS005N10MCLT1G
1个N沟道 耐压:100V 电流:18.4A 108A
- 描述
- 特性：小尺寸（5×6mm），适合紧凑设计。 低RDS(on)，以最小化传导损耗。 低QG和电容，以最小化驱动损耗。 通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力。 无铅、无卤素/无溴化阻燃剂、无铍，符合RoHS标准
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMFS005N10MCLT1G
- 商品编号
- C5208134
- 商品封装
- SO-8FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.200039克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 108A；18.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.1mΩ |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3.8W；131W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.1nF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
交货周期
订货79-81个工作日购买数量
(1500个/圆盘，最小起订量 3000 个)个
起订量：3000 个1500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单
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