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NVMYS021N10MCLTWG
1个N沟道 耐压:100V
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- 描述
- 特性：小尺寸（5x6mm），便于紧凑设计。 低导通电阻，以降低传导损耗。 低栅极电荷和电容，以降低驱动损耗。 通过AEC-Q101认证并具备生产件批准程序（PPAP）能力。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂（BFR），并符合RoHS标准
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMYS021N10MCLTWG
- 商品编号
- C5208112
- 商品封装
- LFPAK-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 31A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V,31A | |
| 耗散功率(Pd) | 49W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 850pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单
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