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NVMYS005N10MCLTWG
1个N沟道 耐压:100V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMYS005N10MCLTWG
- 商品编号
- C5208108
- 商品封装
- LFPAK-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 108A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.1mΩ@4.5V,27A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 131W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.1nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 22pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 小尺寸封装（5x6 mm），适合紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on)，可降低传导损耗
- 低栅极电荷QG和电容，可降低驱动损耗
- 通过AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序（PPAP）文件
- 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂、无铍，符合RoHS标准
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