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NTMFD5C672NLT1G实物图
  • NTMFD5C672NLT1G商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NTMFD5C672NLT1G

1个N沟道 耐压:60V

描述
适用于紧凑和高效设计的工业用功率 MOSFET,采用 5x6 mm 扁平引线封装,且具有较高的热性能。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NTMFD5C672NLT1G
商品编号
C5208126
商品封装
SO-8FL​
包装方式
编带
商品毛重
0.171克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)49A
导通电阻(RDS(on))16.8mΩ
属性参数值
耗散功率(Pd)45W
阈值电压(Vgs(th))2.2V
输入电容(Ciss)793pF
反向传输电容(Crss)9pF
工作温度-55℃~+175℃

商品特性

  • 小尺寸封装(5x6 mm),适合紧凑设计
  • 低导通电阻(RDS(on)),以最小化传导损耗
  • 低栅极电荷(QG)和电容,以最小化驱动损耗
  • 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),并符合RoHS标准

数据手册PDF