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NVMFWS003N10MCT1G
1个N沟道 耐压:100V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMFWS003N10MCT1G
- 商品编号
- C5208103
- 商品封装
- DFNW-5(5x6)(SO-8-FL)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 169A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 194W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 62nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.65nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 小尺寸封装(5x6 mm),适合紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on),可降低传导损耗
- 低栅极电荷QG和电容,可降低驱动损耗
- 通过AEC-Q101认证,可提供生产件批准程序(PPAP)文件
- 可焊侧翼产品
- 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂、无铍,符合RoHS标准
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