- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NVMYS012N10MCLTWG
1个N沟道 耐压:100V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMYS012N10MCLTWG
- 商品编号
- C5208111
- 商品封装
- LFPAK-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 52A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.338nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 521pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 小尺寸封装(5x6 mm),适合紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on),以最小化传导损耗
- 低栅极电荷QG和电容,以最小化驱动损耗
- 通过AEC-Q101认证,可提供生产件批准程序(PPAP)文件
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),符合RoHS标准
- NVMYS021N10MCLTWG
- NTMFD5C672NLT1G
- NTTFS080N10GTAG
- NVMFS005N10MCLT1G
- NVMFS025P04M8LT1G
- NVMFS5C430NLWFT1G
- NVMFWS004N10MCT1G
- NVMFWS0D7N04XMT1G
- NVTFS070N10MCLTAG
- NTBLS1D5N10MCTXG
- NTMFD1D1N02X
- NTMFS0D5N04XLT1G
- NVHL040N60S5F
- NVHL055N60S5F
- NVMJST0D9N04CTXG
- NVMJST1D4N06CLTXG
- NVMJST1D2N04CTXG
- NVMJST1D6N04CTXG
- NVMJST2D6N08HTXG
- NVMJST3D3N04CTXG
- NTHL120N60S5Z