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NVLJWS011N06CLTAG
1个N沟道 耐压:60V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVLJWS011N06CLTAG
- 商品编号
- C5208093
- 商品封装
- WDFNW-6(2.05x2.05)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 48A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 46W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 912pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 在VGS = 10 V时，典型RDS(导通电阻) = 1.9 mΩ
- 在VGS = 10 V时，典型Qg(总栅极电荷) = 73 nC
- 通过AEC-Q101认证
- 符合RoHS标准
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