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NVJD4158CT1G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NVJD4158CT1G

耐压:30V 电流:250mA

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描述
适用于低功率应用的汽车用功率 MOSFET。通过 AEC-Q101 认证 MOSFET 且符合生产件批准程序 (PPAP) ,适用于汽车应用。小信号 MOSFET,30 V/?20 V,+0.25/?0.88 A,互补,SC?88
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NVJD4158CT1G
商品编号
C5205662
商品封装
SC-88-6​
包装方式
编带
商品毛重
0.056克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)250mA
导通电阻(RDS(on))1Ω@4.5V,0.25A
耗散功率(Pd)270mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))800mV
栅极电荷量(Qg)900pC@5V
输入电容(Ciss)20pF@5V
反向传输电容(Crss)7.25pF@5V
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF

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(3000个/圆盘,最小起订量 1 个)
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