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NVJD4158CT1G
耐压:30V 电流:250mA
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- 描述
- 适用于低功率应用的汽车用功率 MOSFET。通过 AEC-Q101 认证 MOSFET 且符合生产件批准程序 (PPAP) ，适用于汽车应用。小信号 MOSFET，30 V/?20 V，+0.25/?0.88 A，互补，SC?88
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVJD4158CT1G
- 商品编号
- C5205662
- 商品封装
- SC-88-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.056克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 250mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 270mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 900pC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 20pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 领先的20 V沟槽结构,实现低RDS(on)性能
- 栅极具备ESD保护
- 采用SC-88封装,占位面积小(2 x 2 mm)
- NV前缀适用于汽车及其他有独特产地和控制变更要求的应用;符合AEC-Q101标准且可提供生产件批准程序(PPAP)文件
- 这些器件为无铅、无卤/无溴化阻燃剂(BFR)产品,符合RoHS标准
应用领域
-DC-DC转换-负载/电源管理-负载开关-手机、MP3、数码相机、个人数字助理(PDA)
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