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NVMJS3D0N06CTWG
1个N沟道 耐压:60V
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- 描述
- 特性：小尺寸（5x6mm），适用于紧凑设计。 低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗。 低栅极电荷QG和电容，以最小化驱动损耗。 通过AEC-Q101认证，具备生产件批准程序（PPAP）能力。 无铅且符合RoHS标准
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMJS3D0N06CTWG
- 商品编号
- C5205712
- 商品封装
- LFPAK-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.255克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 139.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 112.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.675nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 小尺寸封装(5x6 mm),适合紧凑设计
- 低 RDS(on),以最小化传导损耗
- 低 QG 和电容,以最小化驱动损耗
- 通过 AEC-Q101 认证,可提供生产件批准程序(PPAP)文件
- 这些器件为无铅产品,符合 RoHS 标准
应用领域
-LED背光驱动器-CCFL背光-DC电机控制-电源次级侧同步整流
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