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NVBLS1D5N10MCTXG
1个N沟道 耐压:100V 电流:300A
- 描述
- 特性：低RDS(on)以最小化传导损耗。低QG和电容以最小化驱动损耗。通过AEC-Q101认证且具备PPAP能力。降低开关噪声/电磁干扰。这些器件无铅且符合RoHS标准
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVBLS1D5N10MCTXG
- 商品编号
- C5208083
- 商品封装
- TOLL-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.36克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 4.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 131nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 10.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 84pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 低导通电阻(RDS(on)),以最小化传导损耗
- 低栅极电荷(QG)和电容,以最小化驱动损耗
- 通过AEC-Q101认证,具备生产件批准程序(PPAP)能力
- 降低开关噪声/电磁干扰(EMI)
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
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