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NVMFS021N10MCLT1G
1个N沟道 耐压:100V 电流:8.4A 电流:31A
- 描述
- 特性：小尺寸（5x6 mm），适合紧凑设计。 低RDS(on)，以最小化传导损耗。 低QG和电容，以最小化驱动损耗。 NVMFWS021N10MCL 可焊侧翼选项，便于光学检测。 通过 AEC-Q101 认证，可提供 PPAP 文件。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合 RoHS 标准
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMFS021N10MCLT1G
- 商品编号
- C5205667
- 商品封装
- DFN-5(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.185克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 49W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 850pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 配置 | - |
优惠活动
购买数量
(1500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1500个/圆盘
总价金额：
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