温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NVMFS021N10MCLT1G
1个N沟道 耐压:100V 电流:8.4A 电流:31A
- 描述
- 特性：小尺寸（5x6 mm），适合紧凑设计。 低RDS(on)，以最小化传导损耗。 低QG和电容，以最小化驱动损耗。 NVMFWS021N10MCL 可焊侧翼选项，便于光学检测。 通过 AEC-Q101 认证，可提供 PPAP 文件。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合 RoHS 标准
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMFS021N10MCLT1G
- 商品编号
- C5205667
- 商品封装
- DFN-5(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.185克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 31A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 49W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 850pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - |
商品特性
- 小尺寸封装(5x6 mm),适合紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on),以最小化传导损耗
- 低栅极电荷QG和电容,以最小化驱动损耗
- NVMFWS021N10MCL - 可焊侧翼选项,便于光学检测
- 通过AEC - Q101认证,可提供生产件批准程序(PPAP)文件
- 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂(BFR),符合RoHS标准
应用领域
- 负载/电源开关
- 电池管理
- 手机、数码相机、个人数字助理、寻呼机等
相似推荐
其他推荐
- NVMFS040N10MCLT1G
- NVMJS3D0N06CTWG
- NVMYS9D3N06CLTWG
- NVTFS040N10MCLTAG
- NTBLS1D7N10MCTXG
- NVBLS1D5N10MCTXG
- NVBLS1D7N10MCTXG
- NVLJWD023N04CLTAG
- NVLJWS013N03CLTAG
- NVLJWS070N06CLTAG
- NVMFWS003N10MCT1G
- NVMYS005N10MCLTWG
- NVMYS021N10MCLTWG
- NTTFS080N10GTAG
- NVMFS005N10MCLT1G
- NVMFS025P04M8LT1G
- NVMFS5C430NLWFT1G
- NVMFS5C450NLWFT1G
- NVMFWS0D7N04XMT1G
- NVTFS070N10MCLTAG
- NTBLS1D5N10MCTXG