NVMD3P03R2G
1个P沟道
- 描述
- 汽车功率 MOSFET。 -30V，-3.05A，85mΩ，双 P 沟道，SO-8。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMD3P03R2G
- 商品编号
- C5205665
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@10V,3.05A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 750pF@24V | |
| 反向传输电容(Crss) | 135pF@24V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 小尺寸封装（5x6 mm），适合紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗
- 低栅极电荷QG和电容，以最小化驱动损耗
- NVMFS5C682NLWF - 可焊侧翼选项，便于光学检测
- 通过AEC - Q101认证，可提供生产件批准程序（PPAP）文件
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
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