NVMD3P03R2G
1个P沟道
- 描述
- 汽车功率 MOSFET。 -30V，-3.05A，85mΩ，双 P 沟道，SO-8。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMD3P03R2G
- 商品编号
- C5205665
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 750pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 135pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 双SOIC-8封装的高效组件
- 低RDS(on)的高密度功率MOSFET
- 微型SOIC-8表面贴装封装,节省电路板空间
- 二极管具有高速软恢复特性
- 规定了高温下的IDSS
- 规定了雪崩能量
- 提供SOIC-8封装的安装信息
- 通过AEC-Q101认证 - NVMD3P03R2G
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
- DC-DC转换器
- 低压电机控制
- 便携式和电池供电产品的电源管理,如计算机、打印机、PCMCIA卡、移动电话和无绳电话
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