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NVD2955T4G
1个P沟道 耐压:60V 电流:12A
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- 描述
- 可承受雪崩和换相模式下高能量的汽车用功率 MOSFET。 适用于电源、转换器和功率电机控制中的低压高速开关应用。 此类器件尤其适用于二极管速度和换相安全运行区域非常关键的桥式电路，可针对非预期的瞬时电压提供附加安全裕度。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVD2955T4G
- 商品编号
- C5205656
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.46克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 155mΩ@10V,6A | |
| 耗散功率(Pd) | 55W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 750pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它针对低栅极电荷、低漏源导通电阻（r_DS(on)）和快速开关速度进行了优化。
商品特性
- 漏源导通电阻（RDS(on)） = 18 mΩ，栅源电压（VGS） = 10 V，漏极电流（ID） = 7.5 A
- 漏源导通电阻（RDS(on)） = 21 mΩ，栅源电压（VGS） = 4.5 V，漏极电流（ID） = 6.9 A
- 高性能沟槽技术，实现极低的漏源导通电阻（RDS(on)）
- 低栅极电荷
- 高功率和电流处理能力
- 100%进行Rg测试
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
-DC/DC转换器
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