NVD3055-150T4G
1个N沟道 耐压:60V
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- 描述
- 适用于电源、转换器、功率电机控制和桥式电路中的低压高速开关应用的汽车级功率 MOSFET。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVD3055-150T4G
- 商品编号
- C5205657
- 商品封装
- DPAK-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.462克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 28.8W |
商品特性
- 低导通电阻（RDS(on)）可提高效率并延长电池寿命
- 微型SOT - 23表面贴装封装节省电路板空间
- 采用NVT前缀，适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC - Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
- 这些器件为无铅产品，符合RoHS标准
应用领域
- 直流-直流转换器-计算机-打印机-PCMCIA卡-移动电话和无绳电话
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