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NVJD5121NT2G
1个N沟道+1个P沟道 耐压:60V
- 描述
- 适用于低功率应用的汽车用功率 MOSFET。60V 295mA 1.6 Ω 双 N 沟道 SC?88，带 ESD 防护，逻辑电平。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVJD5121NT2G
- 商品编号
- C5205663
- 商品封装
- SC-88-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 295mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 250mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 900pC@25V | |
| 输入电容(Ciss) | 26pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低导通电阻RDS(on)
- 低栅极阈值
- 低输入电容
- 栅极具备静电放电保护
- NVJD前缀适用于汽车及其他有独特产地和控制变更要求的应用;符合AEC-Q101标准且可提供生产件批准程序文件
- 这是一款无铅器件
应用领域
-低端负载开关-直流-直流转换器(降压和升压电路)
- NVMD3P03R2G
- NVMFS021N10MCLT1G
- NVMFS040N10MCLT1G
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- NVBLS1D5N10MCTXG
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- NVLJWS070N06CLTAG
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- NVMFS5C430NLWFT1G
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