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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDD8586-HXY
FDD8586-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管最大漏极电流为80A，漏源击穿电压20V，导通电阻低至3.5毫欧，栅源电压耐受16V。低导通损耗特性使其适用于大电流开关电源、电池管理系统及电机驱动电路。在高频率切换场景下，能有效降低热耗散，提升电源转换效率，满足便携式设备与高性能计算平台的供电需求。
- 商品型号
- FDD8586-HXY
- 商品编号
- C54582408
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 70W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 750mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 500pF |
商品概述
FDD8586采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 20V，漏极电流（ID） = 80A
- 当栅源电压（VGS） = 4.5V时，导通电阻（RDS(ON)） < 5mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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