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IRFR3711ZTRL-HXY

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描述: 该N沟道场效应管额定漏极电流为60安培，漏源击穿电压20伏，导通电阻低至5毫欧，栅源驱动电压12伏。凭借低导通损耗特性，器件适用于大电流开关电源、直流电机驱动及电池管理系统等场景。在高负载条件下，其优异的导电性能可有效降低温升，提升电路整体能效，满足对功率密度要求严苛的电子设备设计需求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: IRFR3711ZTRL-HXY
商品编号: C54582418
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.4克(g)

商品参数

IRFR3711ZTRL采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。封装形式为TO - 252 - 2L。