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PMV50UPEVL-HXY
PMV50UPEVL-HXY
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- 描述
- 该P沟道场效应管最大漏极电流为4.2A，漏源击穿电压20V，导通电阻典型值48mΩ，栅源驱动电压12V。器件在低导通损耗下实现高效开关控制，适用于电池保护、负载切换及便携式电源管理电路。其参数匹配低压直流系统需求，可在有限空间内提供稳定的电流调节能力，满足消费电子与通信设备中对功率器件的紧凑化设计标准。
- 商品型号
- PMV50UPEVL-HXY
- 商品编号
- C54582416
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 740pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 290pF |
商品概述
PMV50UPEVL采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS = -20V，ID = -4.2A
- 当VGS = -4.5V时，RDS(ON)为55mΩ
- 当VGS = -2.5V时，RDS(ON)为75mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理
- SOT - 23
- P沟道MOSFET
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