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SI2367DS-T1-BE3-HXY
SI2367DS-T1-BE3-HXY
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- 描述
- 该P沟道场效应管最大漏极电流为4.2A，漏源击穿电压20V，导通电阻典型值48mΩ，栅源驱动电压12V。其参数特性适用于低压电源管理中的高侧开关控制，常见于便携式设备的电池保护电路及负载切换模块。在直流电机驱动与信号电平转换应用中，该器件能提供稳定的电流承载能力，协助优化系统功耗并简化外围驱动逻辑设计。
- 商品型号
- SI2367DS-T1-BE3-HXY
- 商品编号
- C54582410
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 740pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 290pF |
商品概述
SI2367DS-T1-BE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS = -20V，ID = -4.2A
- RDS(ON)在VGS = -4.5V时为55mΩ
- RDS(ON)在VGS = -2.5V时为75mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理
- SOT - 23封装
- P沟道MOSFET
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