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MMFTP330K-HXY
MMFTP330K-HXY
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- 描述
- 该P沟道场效应管额定漏极电流为5A，漏源击穿电压20V，导通电阻30mΩ。器件在20V电压范围内工作，低导通电阻有助于降低通路损耗。其特性适用于电池组保护、便携式设备负载开关及电源管理模块。在数码产品、移动终端等消费类电路中，可用于电平转换、反向极性保护及功率通断控制，满足对空间布局与能效有要求的电子系统设计需求。
- 商品型号
- MMFTP330K-HXY
- 商品编号
- C54582415
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.043克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 550mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 950pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 165pF |
商品概述
MMFTP330K采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用，具备ESD保护功能。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -20V，漏极电流（ID） = -5A
- 当栅源电压（VGS） = -4.5V时，导通电阻（RDS(ON)） < 40mΩ
- 当栅源电压（VGS） = -2.5V时，导通电阻（RDS(ON)） < 60mΩ
- ESD等级：1500V HBM
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- SOT - 23封装
- P沟道MOSFET
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