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NTRV4101PT1G-HXY

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描述: 该P沟道场效应管漏源击穿电压为20V，连续漏极电流3A，导通电阻60mΩ。器件在低压应用中具备稳定的导通性能，有助于减少功率损耗与温升。适用于平板电脑电源管理、移动设备电池保护及便携式仪器负载开关等场景，满足消费类电子产品对电路紧凑布局与能效表现的设计需求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: NTRV4101PT1G-HXY
商品编号: C54582411
商品封装: SOT-23
包装方式: 编带
商品毛重: 0.045克(g)

商品参数

NTRV4101PT1G采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。