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NTRV4101PT1G-HXY
NTRV4101PT1G-HXY
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- 描述
- 该P沟道场效应管漏源击穿电压为20V，连续漏极电流3A，导通电阻60mΩ。器件在低压应用中具备稳定的导通性能，有助于减少功率损耗与温升。适用于平板电脑电源管理、移动设备电池保护及便携式仪器负载开关等场景，满足消费类电子产品对电路紧凑布局与能效表现的设计需求。
- 商品型号
- NTRV4101PT1G-HXY
- 商品编号
- C54582411
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.045克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.3nC@2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 405pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 75pF |
商品概述
NTRV4101PT1G采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS = -20V，ID = -3A
- RDS(ON) < 80mΩ（在VGS = -4.5V时）
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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