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RC3415P
1个P沟道 耐压:20V 电流:4A
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- 描述
- 特性：VDS = -20V。 ID = 4A (VGS = -4.5V)。 RDS(ON) < 40mΩ (VGS = -4.5V)。 RDS(ON) < 60mΩ (VGS = -2.5V)。 RDS(ON) < 100mΩ (VGS = -1.8V)。 ESD 额定值：2000V HBM
- 品牌名称
- RealChip(正芯半导体)
- 商品型号
- RC3415P
- 商品编号
- C5137077
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4.5V,4A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.45nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 160pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
超结功率MOSFET是高压功率MOSFET的一项革命性技术，按照超结（SJ）原理设计。深沟槽SJ MOSFET提供了一种具有极低开关、通信和传导损耗的器件，其高稳健性使谐振开关应用尤其可靠、高效、轻便且散热性能好。
商品特性
- 超快体二极管
- 极低的品质因数RDS(on) × Qg
- 易于使用/驱动
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 开关模式电源（SMPS）
- 不间断电源（UPS）
- 功率因数校正（PFC）
- LLC半桥
- 充电器