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RC3404
1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
- 描述
- 特性：VDS = 30V。 ID = 5.8A（VGS = 10V）。 RDS(ON) < 25mΩ（VGS = 10V）。 RDS(ON) < 35mΩ（VGS = 4.5V）
- 品牌名称
- RealChip(正芯半导体)
- 商品型号
- RC3404
- 商品编号
- C5137088
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V,5.8A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 448pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 41pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用了沟槽DMOS技术。这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- 30V、90A，VGS = 10V时，RDS(ON) = 4.5mΩ
- 改善了dv/dt能力
- 快速开关
- 100%保证EAS
- 有环保型器件可供选择
应用领域
- 主板/显卡/Vcore
- 负载点（POL）应用
- 开关电源（SMPS）二次侧同步整流