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RC4435
1个P沟道 耐压:30V 电流:9A
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- 描述
- 特性：VDs = 30V。 D = -9A (VGS = -20V)。 RDS(ON) < 16mΩ (VGS = -10V)。 RDS(ON) < 28mΩ (VGS = -5V)
- 品牌名称
- RealChip(正芯半导体)
- 商品型号
- RC4435
- 商品编号
- C5137096
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 155pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源电压(V)=-30V
- 漏极电流 = -9A(栅源电压=-20V)
- 导通电阻 < 16mΩ(栅源电压=-10V)
- 导通电阻 < 28mΩ(栅源电压 = -5V)
应用领域
- 锂离子电池保护电路