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RC90N06
1个N沟道 耐压:60V 电流:90A
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- 描述
- 采用分裂栅沟槽MOSFET技术。具有出色的散热封装。高密度单元设计，实现低导通电阻
- 品牌名称
- RealChip(正芯半导体)
- 商品型号
- RC90N06
- 商品编号
- C5137100
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 78W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- -30V/-4.2A，在VGS = -10V时，RDS(ON) = 55mΩ（最大值）
- 在VGS = -4.5V时，RDS(ON) = 70mΩ（最大值）
- 在VGS = -2.5V时，RDS(ON) = 120mΩ（最大值）
- 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
- 可靠且耐用
- SC-59表面贴装封装
- SC-59
应用领域
- 电源管理
- 便携式设备和电池供电系统