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RCP80N06A
1个N沟道 耐压:60V 电流:80A
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- 描述
- 特性：低栅极电荷。 低 Crss（典型值 142pF）。 开关速度快。 100%经过雪崩测试。 高抗 dv/dt 能力。 RoHS 产品。应用：电池管理系统。 电机控制和驱动
- 品牌名称
- RealChip(正芯半导体)
- 商品型号
- RCP80N06A
- 商品编号
- C5137094
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.94克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 195W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.94nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 142pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 获得无铅产品认证
- 表面贴装封装
- 具有低导通电阻RDS(on)的N沟道开关
- 可在低逻辑电平栅极驱动下工作
应用领域
- 负载/电源开关
- 接口开关
- 超小型便携式电子产品的电池管理
- 逻辑电平转换