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RC2101
1个P沟道 耐压:20V 电流:1.4A
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- 描述
- 特性：领先的沟槽技术，实现低导通电阻，延长电池寿命。应用：高端负载开关。充电电路
- 品牌名称
- RealChip(正芯半导体)
- 商品型号
- RC2101
- 商品编号
- C5137095
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 210mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 290mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 640pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 82pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ |
商品特性
- 20V/3A，在VGS = 4.5V时，RDS(ON) = 60mΩ（最大值）
- 在VGS = 2.5V时，RDS(ON) = 80mΩ（最大值）
- 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
- 可靠耐用
- 采用SOT23-3表面贴装封装
- SOT-23-3
应用领域
- 电源管理
- 便携式设备和电池供电系统