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RC3134KM3
1个N沟道 耐压:20V 电流:1.4A
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- 描述
- RC3134KM3 是 N 沟道增强型 MOSFET 晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可实现出色的导通电阻 RDS(ON)，且栅极电荷较低。
- 品牌名称
- RealChip(正芯半导体)
- 商品型号
- RC3134KM3
- 商品编号
- C5137092
- 商品封装
- SOT-723
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.013克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 230mΩ@4.5V,0.55A | |
| 耗散功率(Pd) | 700mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.1nC@2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 43pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 结温150°C
- 脉宽调制（PWM）优化
- 100%进行栅极电阻（Rg）测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 初级侧开关