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RC3407A
P沟道增强型MOSFET 1个P沟道 耐压:30V 电流:4.2A
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- 描述
- 特性：30V / -4.2A，RDS(ON) = 55mΩ（最大值）@VGS = -10V。 RDS(ON) = 70mΩ（最大值）@VGS = -4.5V。 RDS(ON) = 120mΩ（最大值）@VGS = -2.5V。 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)。 可靠耐用的SC-59表面贴装封装。应用：电源管理。 便携式设备和电池供电系统
- 品牌名称
- RealChip(正芯半导体)
- 商品型号
- RC3407A
- 商品编号
- C5137083
- 商品封装
- SC-59
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V,4.2A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 |
优惠活动
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