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RC3407实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

RC3407

1个P沟道 耐压:30V 电流:4.1A

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描述
特性:VDs (V) = -30V。 ID = -4.1A。 RDS(ON) < 52mΩ (VGS = -10V)。 RDS(ON) < 87mΩ (VGS = -4.5V)
商品型号
RC3407
商品编号
C5137087
商品封装
SOT-23-3​
包装方式
编带
商品毛重
0.042克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)4.1A
导通电阻(RDS(on))40.5mΩ@10V,4.1A
耗散功率(Pd)1.4W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))-
栅极电荷量(Qg)14.3nC@4.5V
输入电容(Ciss)700pF@15V
反向传输电容(Crss)75pF@15V
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

  • 沟槽功率低压MOSFET技术
  • 出色的散热封装
  • 用于低RDS(ON)的高密度单元设计

商品特性

  • VDS 30V
  • ID 50A
  • RDS(ON)(VGS = 10V时)< 8.5毫欧
  • RDS(ON)(VGS = 4.5V时)< 13毫欧

应用领域

  • 高电流负载应用-负载开关-硬开关和高频电路-不间断电源

数据手册PDF