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RC60P04Y实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

RC60P04Y

1个P沟道 耐压:60V 电流:4A

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描述
特性:60V。4.0A。RDS(ON) = 90mΩ @VGS = -10V。RDS(ON) = 125mΩ @VGS = -4.5V。高密单元设计,极低的RDS(ON)。坚固可靠
商品型号
RC60P04Y
商品编号
C5137085
商品封装
SOT-23L​
包装方式
编带
商品毛重
0.08克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)4A
导通电阻(RDS(on))125mΩ@4.5V,2A
耗散功率(Pd)3W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)22.6nC@10V
输入电容(Ciss)1.135nF@30V
反向传输电容(Crss)60pF@30V
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF

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(3000个/圆盘,最小起订量 10 个)
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