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RC3420
1个N沟道 耐压:20V 电流:6A
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- 描述
- 特性：VDS (V) = 20V。ID = 6A (VGS = 10V)。RDS(ON) < 24mΩ (VGS = 10V)。RDS(ON) < 27mΩ (VGS = 4.5V)。RDS(ON) < 42mΩ (VGS = 2.5V)。RDS(ON) < 55mΩ (VGS = 1.8V)
- 品牌名称
- RealChip(正芯半导体)
- 商品型号
- RC3420
- 商品编号
- C5137082
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 630pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - |
商品概述
RC4606采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于构成电平转换的高端开关，以及多种其他应用。
商品特性
- 漏源电压(V) = 20V
- 漏极电流 = 6 A(栅源电压 = 10 V)
- 导通电阻 < 24mΩ(栅源电压 = 10V)
- 导通电阻 < 27mΩ(栅源电压 = 4.5V)
- 导通电阻 < 42mΩ(栅源电压 = 2.5V)
- 导通电阻 < 55mΩ(栅源电压 = 1.8V)