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RC3400A
1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
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- 描述
- 特性：30V/5.8A，RDS(ON) = 35mΩ（最大值），VGS = 10V。 RDS(ON) = 40mΩ（最大值），VGS = 4.5V。 RDS(ON) = 55mΩ（最大值），VGS = 2.5V。 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)。 可靠耐用。 SOT-23表面贴装封装。应用：电源管理。 便携式设备和电池供电系统
- 品牌名称
- RealChip(正芯半导体)
- 商品型号
- RC3400A
- 商品编号
- C5137076
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@2.5V,4A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.5nC@10V | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 采用领先的沟槽技术实现低导通电阻RDS(on)，延长电池使用寿命
应用领域
- 高端负载开关
- 充电电路
- 单节电池应用，如手机、数码相机、个人数字助理（PDA）等