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RC2301A
1个P沟道 耐压:20V 电流:3A
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- 描述
- 特性：20V / -3A，RDS(ON) = 120mΩ（最大值），VGS = -4.5V；RDS(ON) = 150mΩ（最大值），VGS = -2.5V。 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)。 可靠耐用的SOT23表面贴装封装。应用：电源管理。 便携式设备和电池供电系统
- 品牌名称
- RealChip(正芯半导体)
- 商品型号
- RC2301A
- 商品编号
- C5137073
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@2.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术特别设计用于最小化导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- -20V/-3A,在VGS = -4.5V时,RDS(ON) = 120mΩ(最大值)
- 在VGS = -2.5V时,RDS(ON) = 150mΩ(最大值)
- 超高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)
- 可靠耐用
- 采用SOT23表面贴装封装
应用领域
-电源管理-便携式设备和电池供电系统