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RC4953
2个P沟道 耐压:30V 电流:5A
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- 描述
- SS4953 是高单元密度的沟槽式 P 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。SS4953 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100% 通过易感性雪崩耐量（EAS）测试，并通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- RealChip(正芯半导体)
- 商品型号
- RC4953
- 商品编号
- C5137072
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@10V；82mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 632pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 74pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |
商品特性
- 漏源电压（VDS）~~- 30V
- 漏极电流（ID）~~- 6.5A（栅源电压VGS = -10V）
- 导通电阻RDS(ON) < 46mΩ（栅源电压VGS~~- 10V）
- 导通电阻RDS(ON) < 72mΩ（栅源电压VGS = -4.5V）