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RC4459
1个P沟道 耐压:30V 电流:6.5A
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- 描述
- 特性：VDs (V) = 30V。 ID =-6.5A，VGS =-10V。 RDS(ON) < 46mΩ，VGS =-10V。 RDS(ON) < 72mΩ，VGS =-4.5V
- 品牌名称
- RealChip(正芯半导体)
- 商品型号
- RC4459
- 商品编号
- C5137069
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 46mΩ@10V,6.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 520pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 62pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源电压（V） = -30V
- 漏极电流 = -6A（栅源电压 = -10V）
- 导通电阻 < 35mΩ（栅源电压 = -10V）
- 导通电阻 < 58mΩ（栅源电压 = -4.5V）