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RC4606
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:5.8A
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- 描述
- RC4606采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于构成电平转换高端开关，还可用于众多其他应用。
- 品牌名称
- RealChip(正芯半导体)
- 商品型号
- RC4606
- 商品编号
- C5137070
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.5A；5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V；38mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA；1.9V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V；9.2nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 520pF；255pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF；35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 45pF；100pF |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -30V
- 漏极电流（ID） = -4.1A
- 导通电阻（RDS(ON)） < 52mΩ（栅源电压VGS = -10V）
- 导通电阻（RDS(ON)） < 87mΩ（栅源电压VGS = -4.5V）