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TPW60R070DFD
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@10V,22.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 312W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 83nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.702nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.52pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这项先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- 40V、140A，VGS = 10V时，RDS(ON) = 2.2mΩ
- 改善了dv/dt能力
- 快速开关
- 有环保器件可供选择
应用领域
- 电动工具
- 负载开关
- LED应用
- 电机驱动应用
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