温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
RC6525Q
1个N沟道 耐压:60V 电流:42A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过特别设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
- 品牌名称
- RealChip(正芯半导体)
- 商品型号
- RC6525Q
- 商品编号
- C5137063
- 商品封装
- DFN-8L(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 42A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 52W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 59nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.05nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些N+P双通道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- 快速开关
- 有绿色环保器件可供选择
- 适用于4.5V栅极驱动应用
- 100%保证抗雪崩能力
应用领域
- 直流风扇-电机驱动应用-网络设备-半桥/全桥拓扑结构