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RC150N03D5
1个N沟道 耐压:30V 电流:150A
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- 描述
- 沟槽功率中压MOSFET技术。出色的散热封装。用于低RDS(ON)的高密度单元设计
- 品牌名称
- RealChip(正芯半导体)
- 商品型号
- RC150N03D5
- 商品编号
- C5137060
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.134克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.2mΩ@4.5V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 7.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 92.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.498nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 643pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
BC3407采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(on)和低栅极电荷。该器件适用于负载开关或PWM应用。