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RC3701T
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:23A
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- 描述
- N+P 双沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽 DMOS 技术。这种先进技术经过专门设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
- 品牌名称
- RealChip(正芯半导体)
- 商品型号
- RC3701T
- 商品编号
- C5137066
- 商品封装
- PPAK(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 23A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@4.5V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 17W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 620pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 |
商品概述
DMTH10H025LK3Q采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 100V，ID = 50A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 28mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源