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RCQ3632
1个N沟道 耐压:30V 电流:38A
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- 描述
- 这些 N 沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽 DMOS 技术。这项先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用
- 品牌名称
- RealChip(正芯半导体)
- 商品型号
- RCQ3632
- 商品编号
- C5137064
- 商品封装
- PPAK-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 38A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V,16A | |
| 耗散功率(Pd) | 35W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 105pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 用于快速开关的TrenchFET功率MOSFET
- 采用新型低热阻PowerPAK封装，高度仅1.07 mm
- 针对PWM进行优化
- 100%进行Rg测试
应用领域
- DC/DC电源初级侧开关
- 工业电机驱动器