温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
RCQ5304
1个N沟道 耐压:30V 电流:90A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- N-沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过特别设计，可最大限度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
- 品牌名称
- RealChip(正芯半导体)
- 商品型号
- RCQ5304
- 商品编号
- C5137065
- 商品封装
- PPAK-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 115W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.2nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 340pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
RC2304A采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 3.6A
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 60 mΩ
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 40 mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 提供无铅产品
- 表面贴装封装
应用领域
- 电池保护-负载开关-电源管理