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RC50N03D5
1个N沟道 耐压:30V 电流:50A
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- 描述
- 采用沟槽功率低压MOSFET技术。具有出色的散热封装。高密度单元设计，实现低导通电阻
- 品牌名称
- RealChip(正芯半导体)
- 商品型号
- RC50N03D5
- 商品编号
- C5137061
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@4.5V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 42W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 54nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.504nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 283pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
SS4953是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 SS4953符合RoHS和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力（EAS），并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 100%保证抗雪崩能力（EAS）
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术